-->

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока. У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50 У транзистора П213А — 20 У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА. У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА. У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА. У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А — не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А — не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 11,5 Вт(на радиаторе).

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов П217, П217А, П217Б — 30 Вт (с радиатором). У транзисторов П217В, П217Г — 24 Вт (с радиатором).

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 60 в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 60 в.

Максимальное напряжение эмитер — база — 15 в.

Максимальный ток коллектора — 7,5 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до 150.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) — не более 50 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(60в): У транзисторов П217, П217А, П217Б — не более 0,3 мА. У транзисторов П217В, П217Г — не более 3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой — 100 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,5А — не более 1 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А — не более 1.5 в.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 10 Вт с радиатором, 1,5 Вт — без.

Максимальное напряжение коллектор — база — 80 в.

Максимальный ток коллектора — 5 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) — не более 30 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(80в) — не более 0,3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой — 150 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, базы 0,37А — не более 0,9 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А — не более 1.2 в.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ815А — 25 в. У транзисторов КТ815Б — 45 в. У транзисторов КТ815В — 60 в. У транзисторов КТ815Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы П213

Т ранзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p. Корпус металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики германиевых транзисторов П213

П213 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Корпусное исполнение и цоколевка П213

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора П213

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • П213 — 15 В
  • П213А — 10 В
  • П213Б — 10 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 45° C:

  • П213 — 11,5 Вт
  • П213А — 10 Вт
  • П213Б — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

Электрические характеристики транзисторов П213 при Тп = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)

  • П213 — 20 — 50 при UКЭ 5 В, при IК 1 А
  • П213А — 20 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А
  • П213Б — 40 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • П213 — 0,5 В
  • П213Б — 2,5 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • П213А — 1 мА
  • П213Б — 1 мА

Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (IКЭ0)

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • П213 — 3,5 ° C/Вт
  • П213А — 4 ° C/Вт
  • П213Б — 4 ° C/Вт

Транзисторы П215.

Т ранзисторы П215 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения. Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Маркировка буквенно — цифровая, на верхней поверхности корпуса.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Два выходных дня

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

П217 Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: — приемка «1» аА0.336.342ТУ; — приемка «5» СИ3.365.017ТУ; — приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: AD130, AD131, AD132, AD163, AD303, AUY19, AUY20, AUY28, EFT214, EFT250, OC28, OC35, SFT214, SFT239.

Основные технические характеристики транзистора П217: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Усилитель для головных телефонов на германиевых транзисторах

У радиолюбителей со стажем хранится некоторое количество исправных, но морально устаревших радиодеталей, к которым относятся германиевые транзисторы. В современных радиолюбительских конструкциях они не используются, но учитывая возникший в последнее десятилетие интерес к «тёплому германиевому звуку», я собрал усилитель из далёких 70-х годов.

«Бестрансформаторный УНЧ» разработан радиолюбителем Б.Ивановым, схема и описание усилителя опубликованы в журнале «Радио» №2 за 1970 год. В статье отмечается, что усилитель прост конструктивно, легко налаживается и стабильно работает, доступен для повторения даже малоопытным радиолюбителям.

Эти определения на 100% подтвердились в далёком 1976 году, когда будучи пятнадцатилетним школьником, я изготовил данную конструкцию. Работал усилитель на самодельную колонку с динамиком 4ГД28, источником сигнала служил катушечный магнитофон, который использовался как предусилитель для самодельной электрогитары, которую подключал к микрофонному входу, и для воспроизведения магнитных записей. Спустя сорок лет я повторил эту схему, применив как усилитель для головных телефонов.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 1 — Оригинальная схема усилителя

В оригинальную схему «Бестрансформаторного УНЧ» я внёс следующие изменения. Электролитические конденсаторы, за исключением C3(C2), зашунтированы плёночными. Ёмкость конденсатора C6(C4) увеличена до 1000 мкф. Добавлен конденсатор С8 (слюдяной КСО) в цепь отрицательной обратной связи. Резистор R6 (120 Ом) исключён, анод диода VD1(Д1) соединён непосредственно с коллектором транзистора VT1(Т1). Вместо подборочного резистора R2 установлен многооборотный подстроечный резистор типа СП5-3 сопротивлением 47 кОм. Транзисторы П213Б заменены на близкие по параметрам и имеющиеся у меня транзисторы П215.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 2 — Изменённая схема усилителя

Источник питания усилителя изготовлен по трансформаторной схеме. В первоначальном варианте источника питания выходное напряжение стабилизировалось на уровне -12,6В. интегральными микросхемами LM337 (раздельно для каждого канала), но учитывая небольшой потребляемый ток усилителя при работе на головные телефоны, стабилизаторы стали ненужными, что упростило устройство. При этом отмотал часть витков вторичной обмотки трансформатора, для получения выходного напряжения -12,6В. Из других особенностей источника питания – применение для включения слаботочного тумблера типа П1Т4-2(SA1), что потребовало использования реле K1. Тумблер П1Т4-2 применил из эстетических соображений, для красоты.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 3 – Схема источника питания усилителя

Приобретённые по акции на Алиэкспресс пару лет назад стрелочные индикаторы использовал для изготовления некоторого подобия VU-метра. Встроенную подсветку индикаторов (лампы накаливания) я соединил последовательно и подключил к источнику питания усилителя. Лампы светятся в полнакала, навевая на размышления о «тёплом ламповом звуке». Схема управления стрелочными индикаторами без особенностей и найдена на просторах сети Интернет. Найденный вариант содержал один каскад усиления и предназначался для усилителей с положительным источником питания. Для работы с отрицательным источником питания транзисторы n-p-n проводимости типа КТ315 я заменил на транзисторы p-n-p проводимости типа КТ361 и изменил полярность включения диодов и электролитических конденсаторов. Добавил дополнительный каскад усиления на транзисторе VT1. Резистором R5 устанавливается желаемый размах отклонения стрелки индикатора.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 4 – Схема VU – метра усилителя

Усилитель и VU-метр собраны на макетных платах, приобретённых на Алиэкспресс.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 5 – Усилитель на макетной плате

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 6 — VU-метр на макетной плате

Для источника питания разработана печатная плата, но поскольку в процессе конструирования необходимость в применении интегральных стабилизаторов отпала, габариты печатной платы могут быть уменьшены.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 7 – Источник питания на печатной плате

Там же расположен сетевой фильтр с предохранителем

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 8 – Сетевой фильтр

и схема управления реле включения усилителя.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 9 — схема управления реле включения усилителя

Печатную плату усилителя не разрабатывал, а приведённая в журнале «Радио» нуждается в корректировке из-за применения современных деталей и изменений, указанных выше. В первоначальном варианте задумывалось просто послушать усилитель, но звучание понравилось, поэтому оформил усилитель, как законченную конструкцию.

Платы усилителя при помощи стоек установлены на пластиковой пластине толщиной 4 мм. Выходные транзисторы П215 крепятся на дюралюминиевые уголки через слюдяные прокладки с помощью винтов с изолирующими шайбами. Транзисторы при нормальной работе усилителя не нагреваются, поэтому возможен вариант установки транзисторов непосредственно в печатную плату без применения радиаторов. Термостабилизирующий диод VD1 закреплён в непосредственной близости от выходных транзисторов. Транзисторы, применённые в усилителе, по коэффициенту усиления не подбирал, проверил только их исправность. Регулятор громкости типа СП3-30Г сопротивлением 10 кОм, восстановленный по методике, включен по стандартной схеме без тонкомпенсации.

Передняя панель изготовлена из оргстекла толщиной 4 мм и покрашена краской из баллончика. Кожух устройства согнут из обрезка сайдинга, который за «копейки» приобрёл на строительном рынке. Внешний вид законченной конструкции представлен на рисунках 10 – 16.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Рисунок 10 – Усилитель в сборе

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

При настройке и проверке усилителя использовался генератор Г3-102, осциллограф С1-68, цифровой мультиметр. Резистором R2 выставил величину напряжения на «минусе» конденсатора C6 равную половине напряжения источника питания, после чего проверил осциллографом С1-68 искажения типа «ступенька» на выходе усилителя при подаче входного сигнала величиной 15-20 мВ от генератора Г3-102. Искажения отсутствовали. Частотная характеристика усилителя соответствует рисунку 3 статьи журнала «Радио». В области низших звуковых частот завал частотной характеристики меньше, благодаря увеличенной ёмкости конденсатора C6.

Субъективно, звучание усилителя понравилось, присутствует прозрачность, звук свободно «льется, а не просачивается». В рамках эксперимента по увеличению полосы пропускания в области высших звуковых частот германиевые транзисторы типа П215 заменил на высокочастотные германиевые транзисторы типа П605 и ГТ906А. Появились искажения типа «ступенька», устранить которые удалось включением последовательно с диодом VD1 резистора сопротивлением 100 Ом. Звук не понравился, стал непрозрачным, с трудом «просачивающимся», хотя полоса пропускания в области высших звуковых частот увеличилась до 100 кГц. В результате вернулся к транзисторам П215.

Источником сигнала усилителя служит простенький ЦАП на микросхеме PCM2705, а нагрузкой – головные стереотелефоны AUDIO-TECHNICA ATH-T400 импедансом 50 Ом.

Транзистор П213

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

П213 Транзисторы П213 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: — приемка «1» аА0.336.123ТУ; — приемка «5» СИ3.365.012ТУ; — приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N2835, 5NU73, AD139, AD431, AD436, GD240, GD241.

Основные технические характеристики транзистора П213: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20. 50; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом

Технические характеристики

Также это изделие может называться: П-215, П 215, p215, p-215, p 215.

П215 транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах. Подробные характеристики приведены ниже. Мы даем гарантию на отсутствие брака или других несоответствий технической документации. По вопросам приобретения П215 обращайтесь в отдел продаж. Наши менеджеры предоставят всю интересующую Вас информацию по поводу цены, наличия, сроков доставки, гарантии или ответят на любые другие вопросы.

П215Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

Также на сайте zapadpribor.com представлены другие транзисторы и похожие изделия.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Графическое изображение транзистора П215 представлено ниже:

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Технические условия: СИ3.365.012ТУ.Основные технические характеристики транзистора П215:- Структура транзистора: p-n-p- Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;- fh21э – Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;- Uкбо проб – Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;- Uэбо проб – Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;- Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;- Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА;- h21Э – Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20-150;- Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Предприятие-изготовитель предоставляет гарантию соответствия транзистора П215 всем требованиям технических условий при соблюдении потребителем правил и условий эксплуатации, хранения и транспортирования, установленных документацией по эксплуатации.

Копировать данное техническое описание на транзисторы П215 запрещено без письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.com/p215/ обязательно.

Ведущий інтернет-магазин Западприбор – это огромный выбор измерительного оборудования по лучшему соотношению цена и качество. Чтобы Вы могли купить приборы недорого, мы проводим мониторинг цен конкурентов и всегда готовы предложить более низкую цену. Мы продаем только качественные товары по самым лучшим ценам. На нашем сайте Вы можете дешево купить как последние новинки, так и проверенные временем приборы от лучших производителей.

На сайте постоянно действует акция «Куплю по лучшей цене» – если на другом интернет-ресурсе (доска объявлений, форум, или объявление другого онлайн-сервиса) у товара, представленного на нашем сайте, меньшая цена, то мы продадим Вам его еще дешевле! Покупателям также предоставляется дополнительная скидка за оставленный отзыв или фотографии применения наших товаров.

В прайс-листе указана не вся номенклатура предлагаемой продукции. Цены на товары, не вошедшие в прайс-лист можете узнать, связавшись с менеджерами. Также у наших менеджеров Вы можете получить подробную информацию о том, как дешево и выгодно купить измерительные приборы оптом и в розницу. Телефон и электронная почта для консультаций по вопросам приобретения, доставки или получения скидки приведены возле описания товара. У нас самые квалифицированные сотрудники, качественное оборудование и выгодная цена.

Интернет магазин Западприбор – официальный дилер заводов изготовителей измерительного оборудования. Наша цель – продажа товаров высокого качества с лучшими ценовыми предложениями и сервисом для наших клиентов. Наш інтернет магазинможет не только продать необходимый Вам прибор, но и предложить дополнительные услуги по его поверке, ремонту и монтажу. Чтобы у Вас остались приятные впечатления после покупки на нашем сайте, мы предусмотрели специальные гарантированные подарки к самым популярным товарам.

Вы можете оставить отзывы на приобретенный у нас прибор, измеритель, устройство, индикатор или изделие. Ваш отзыв при Вашем согласии будет опубликован на официальном сайте без указания контактной информации.

Интернет-магазин принимаем активное участие в таких процедурах как электронные торги, тендер, аукцион.

При отсутствии на официальном сайте в техническом описании необходимой Вам информации о приборе Вы всегда можете обратиться к нам за помощью. Наши квалифицированные менеджеры уточнят для Вас технические характеристики на прибор из его технической документации: инструкция по эксплуатации, паспорт, формуляр, руководство по эксплуатации, схемы. При необходимости мы сделаем фотографии интересующего вас прибора, стенда или устройства.

Описание на приборы взято с технической документации или с технической литературы. Большинство фото изделий сделаны непосредственно нашими специалистами перед отгрузкой товара. В описании устройства предоставлены основные технические характеристики приборов: номинал, диапазон измерения, класс точности, шкала, напряжение питания, габариты (размер), вес. Если на сайте Вы увидели несоответствие названия прибора (модель) техническим характеристикам, фото или прикрепленным документам – сообщите об этом нам – Вы получите полезный подарок вместе с покупаемым прибором.

При необходимости, уточнить общий вес и габариты или размер отдельной части измерителя Вы можете в нашем сервисном центре. Наши инженеры помогут подобрать полный аналог или наиболее подходящую замену на интересующий вас прибор. Все аналоги и замена будут протестированы в одной с наших лабораторий на полное соответствие Вашим требованиям.

Основная особенность нашего інтернет магазина проведение объективных консультаций при выборе необходимого оборудования. У нас работают около 20 высококвалифицированных специалистов, которые готовы ответить на все ваши вопросы.

В технической документации на каждый прибор или изделие указывается информация по перечню и количеству содержания драгметаллов. В документации приводится точная масса в граммах содержания драгоценных металлов: золото Au, палладий Pd, платина Pt, серебро Ag, тантал Ta и другие металлы платиновой группы (МПГ) на единицу изделия. Данные драгметаллы находятся в природе в очень ограниченном количестве и поэтому имеют столь высокую цену. У нас на сайте Вы можете ознакомиться с техническими характеристиками приборов и получить сведения о содержании драгметаллов в приборах и радиодеталях производства СССР. Обращаем ваше внимание, что часто реальное содержание драгметаллов на 10-25% отличается от справочного в меньшую сторону! Цена драгметаллов будет зависить от их ценности и массы в граммах.

Мы предлагаем быструю международную доставку практически во все страны мира: Австралия (Australia), Австрия (Austria), Азербайджан, Албания (Albania), Алжир (Algeria), Ангилья, Ангола, Антигуа и Барбуда, Аргентина (Argentina), Аруба, Багамские острова, Бангладеш, Барбадос, Бахрейн, Белиз, Бельгия (Belgium), Бенин, Бермуды, Болгария (Bulgaria), Боливия, Бонайре, Синт-Э. и Саба, Босния и Герцеговина (Bosnia and Herzegovina), Ботсвана, Бразилия (Brazil), Британские Виргинские Острова, Бруней Даруссалам, Буркина Фасо, Бурунди, Бутан, Вьетнам (Vietnam), Вануату, Ватикан, Венесуэла, Армения, Габон, Гайана, Гаити, Гамия, Гамбия, Гана, Гватемала, Гвинея, Гибралтар, Гондурас, Гонконг, Гренада, Гренландия (Greenland), Греция (Greece), Грузия (Georgia), Дания (Denmark), Демократическая Республика Конго, Джерси, Джибути, Доминика, Доминиканская Республика, Эквадор, Эсватин, Эстония (Estonia), Эфиопия (Ethiopia), Египет (Egypt), Замбия, Зимбабве (Zimbabwe), Иордания Индонезия, Ирландия (Ireland), Исландия (Iceland), Испания (Spain), Италия (Italy), Кабо-Верде, Казахстан (Kazakhstan), Каймановы острова, Камбоджа, Камерун, Канада (Canada), Катар, Кения, Кыргызстан, Китай (China), Кипр (Cyprus), Кирибати, Колумбия (Colombia), Коморские острова, Конго, Корея (Республика) (Korea Rep.), Коста-Рика, Кот-д’Ивуар, Куба, Кувейт, Кюрасао, Лаос, Латвия (Latvia), Лесото, Литва (Lithuania), Либерия, Ливан, Ливия, Лихтенштейн, Люксембург, Мьянма, Маврикий, Мавритания, Мадагаскар, Макао, Малави, Малайзия, Мали, Мальдивы, Мальта, Марокко (Morocco), Мексика (Mexico), Мозамбик, Молдова (Moldova), Монако, Монако, Намибия, Науру, Непал, Нигер, Нигерия (Nigeria), Нидерланды (Netherlands), Германия (Germany), Новая Зеландия (New Zealand), Новая Каледония, Норвегия (Norway), ОАЭ (UAE), Оман, Острова Кука, Пакистан, Палестина, Панама, Папуа Новая Гвинея, Парагвай, Перу, Южная Африка, Польша (Poland), Португалия (Portugal), Республика Чад, Руанда, Румыния (Romania), Сальвадор, Самоа, Сан-Марино, Саудовская Аравия (Saudi Arabia), Свазиленд, Сейшельские острова, Сенегал, Сент-Винсент и Гренадины, Сент-Китс и Невис, Сент-Люсия, Сербия (Serbia), Сингапур (Singapore), Синт-Мартен, Словакия (Slovakia), Словения (Slovenia), Соломоновые острова, Соединенное Королевство Великобритании и Северной Ирландии (United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland), Судан, Суринам, Восточный Тимор (Тимор-Лешти), США (USA), Сьерра-Леоне, Таджикистан, Тайвань (Taiwan), Таиланд (Thailand), Танзания (Объединенная Республика), Того, Тонга, Тринидад и Тобаго, Тувалу, Тунис (Tunisia), Турция (Turkey), Туркменистан, Уганда, Венгрия (Hungary), Узбекистан, Уругвай, Фарерские острова, Фиджи, Филиппины (Philippines), Финляндия (Finland), Франция (France), Французская Полинезия, Хорватия (Croatia), Центральноафриканская Республика, Чешская Республика (Czech Republic), Чили, Черногория (Montenegro), Швейцария (Switzerland), Швеция (Sweden), Шри-Ланка, Ямайка, Япония (Japan).

Иногда клиенты могут вводить название нашего інтернет магазина или официальный сайт неправильно – например, западпрыбор, западпрылад, западпрібор, западприлад, західприбор, західпрібор, захидприбор, захидприлад, захидпрібор, захидпрыбор, захидпрылад. Правильно – западприбор.

Наш технический отдел осуществляет ремонт и сервисное обслуживание измерительной техники более чем 75 разных заводов производителей бывшего СССР и СНГ. Также мы осуществляем такие метрологические процедуры: калибровка, тарирование, градуирование, испытание средств измерительной техники.

Также у нас есть библиотека нормативно-правовых документов, которые связаны с нашей сферой деятельности: закон, кодекс, постановление, указ, временное положение.

Транзисторы П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.

Транзисторы П217 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения. Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Транзистор П215

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

П215 Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: — приемка «1» аА0.336.123ТУ; — приемка «5» СИ3.365.012ТУ; — приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N2660, 2N2661, 2N2667, 6NU73, 7NU73, AD439, AD469, GD244.

Основные технические характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20. 150; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

П213 — П215, П215-М, П214ВМ1

В 1963-1964 году транзисторы П201М. П203М были выделены в отдельную группу. П201М стал называться П213А, П201АМ — П213Б, П202М — П214В, П203М — П214Г. Кроме того, модернизация производства открыла возможность создать новые приборы с параметрами, которые требовал заказчик. В это же время (известен образец от декабря 1962 года) появился и П215 — вариант с повышенным допустимым напряжением. В таком составе эти транзисторы прожили очень долгую жизнь, вплоть до распада СССР, и даже дальше, хотя к началу 90-х попали в разряд неперспективных с рекомендацией замены на КТ818 или КТ837. Они имели чрезвычайно широкое применение, от спецтехники до ширпотреба.

Работу по переводу П201М на новый тип проводил московский завод «Плутон», а серийным выпуском, кроме него, занимались «Фотон», г.Ташкент (Узбекистан) и ВЗПП (Воронежский завод полупроводниковых приборов). Можно отметить, что и старые П201-П203 выпускались параллельно, так как была востребованность в области производства по старым схемам и пополнении зипов.

Справочный лист на них, и данные из отраслевого каталога. Есть и заводские паспорта, Плутоновские (старого и нового образцов, а также отдельные на П213А, П215 ОС), и от Фотона и ВЗПП (старый и новый).

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Тропический вариант. Отличие от стандартного, полагаю, лишь в дополнительном покрытии лаком:

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Транзисторы эти, при всей их массовости и обыденности, не лишены загадок.

В справочнике Перельмана* присутствуют транзисторы П213М. П215М, в «ушастом» корпусе:

Приведено даже значение теплового сопротивления такого корпуса — 6°С/Вт, что выше чем у обычного корпуса.

Нигде более такой вариант не упоминается, и долгое время я считал его фикцией, но — не так давно на форуме Портативное ретрорадио нашлись «живые» образцы такого транзистора!

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Самые последние выпуски транзисторов этого типа носили название П21хМ1. Они кремниевые, и к тому же, судя по вырезке из ТУ, от обычных отличаются технологией — диффузионные, а не сплавные — и несколько бОльшими значениями допустимых напряжений. В них стоят кристаллы транзисторов 2Т837/КТ837.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

1. Лабутин Вадим Константинович. Мощные низкочастотные транзисторы. М.-Л., издательство «Энергия», 1964. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 548.) 2. Автоматизация производства и промышленная электроника. В 4 тт. Главные редакторы А. И. Берг и В. А. Трапезников, т. 4. М., «Советская энциклопедия», 1965. (Энциклопедия современной техники. Энциклопедии. Словари. Справочники). т. 4. Телекомандование — Ячейки стандартные. 3. Справочник. Часть III. Выпуск 2. Полупроводниковые приборы. 1965. 4. Лабутин В. К. Транзисторы. Издание второе, переработанное и дополненное. Москва, «Энергия», 1967. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 638.) 5. Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. Изд. 2-е. М., «Энергия», 1968. 6. А.Клейман, К.Шор. Транзисторы для телевизоров. Издательство ДОСААФ. Москва — 1969. 7. Справочник радиолюбителя. Р. М. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С И. Ногин, В. П. Боровский, А. Б. Чаплинский. В двух частях. Изд. 6-е. «Техника», 1970. 8. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. «Техника», 1971 9. Каталог полупроводниковых приборов. — Москва, ЦНИИ «Электроника», 1971. 10. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., «Энергия», 1972. 11. Левин В.М., Ломанович В.А., Тарнижевский М.В. Эксплуатация автоматических противокоррозионных устройств. М., Стройиздат, 1972. 12. Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры. Под ред. Р. Г. Варламова. М., «Сов. радио», 1973 13. Аксенов А.И. и Глушкова Д.Н. Мощные транзисторы в радиоустройствах. М., «Энергия», 1974 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 846). 14. Краткий справочник радиолюбителя. Березовский М.А., Писаренко В.М. — Киев «Технiка», 1975. 15. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. — Киев «Наукова думка», 1975. 16. Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. Минск, , 1976. 17. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977 18. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980. 19. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя.- Киев: «Наукова думка», 1981. 20. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981 21. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник. Второ допълнено издание. София, Държавно издателство «Техника». 1981. 22. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982. 23. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985. 24. Нефедов Л. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985. 25. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985. 26. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя / В. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов.— 3-е изд., перераб. и доп.- Киев: «Наукова думка», 1987. 27. Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев — М.: Радио и связь, 1989.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144) 28. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. и доп.— М.: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1154). 29. Димитър Рачев. Справочник радиолюбителя. Държавно издателство «Техника». 1990. 30. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XVIII. Транзисторы. Издание второе. — Министерство электронной промышленности СССР. Научно-исследовательский институт. 31. Перечень неперспективных ПП и рекомендуемых замен. — Центральное конструкторское бюро «Дейтон», 1991. 32. Аксенов А. И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин.— М.: Радио и связь, 1992. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1190). 33. Справочник по полупроводниковым приборам (транзисторы). Москва, 1992. МП «Источник» 34. Триполитов С.В., Ермилов А.В. Микросхемы, диоды, транзисторы: Справочник.— М.: Машиностроение, 1994. 35. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные. Справочник. В 4 т. Т. 2. Издание второе, исправленное.— М.: ИП РадиоСофт, 2004.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Усилитель на транзисторах п215

Схема усилителя проста, деталюшек минимум, пригодится для повторения новичками, ниже текст так же для них. Усилительные элементы схемы – германиевые транзисторы — активно применялись еще тридцать лет назад. Схемотехника напоминает многие распространенные схемы тех лет, например усилитель Электрон 20. Некоторые различия есть, в основном технологического характера.

Источник питания однополюсный, не стабилизированный, несколько необычно там смотрится дроссель. Выходной каскад работает в режиме класса АВ.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Выходная мощность 10Вт, общий КНИ до 3%, нагрузка — 8ми Омные громкоговорители.

Работа усилителя на примере одного канала:

Входной сигнал поступает на базу транзистора VT1, сюда же приходит постоянное напряжение с делителя R5,R9 – это задает потенциал смещения транзистора и одновременно напряжение симметрии выхода. Усиленный VT1 сигнал, подается на базу VT3 и далее на выходной каскад VT5,VT6,VT9,VT10. В эмиттер VT1 приходит напряжение с выхода усилителя (точка + С9) – образуя цепь Общей Отрицательной Обратной Связи, причем по постоянному и переменному току одновременно. Если допустим напряжение на эмиттере VT1, пришедшее с выхода, больше чем на его базе – тогда запирается VT1, VT3, VT6, VT9, потенциал выхода уменьшается за счет одновременно открывшихся VT5, VT10. Аналогично происходит, если на эмиттер VT1 приходит напряжение с выхода, меньшее чем на его базе (только отпирание/запирание транзисторов происходит с точность до наоборот). Т.е. усилитель автоматически поддерживает напряжение на выходе заданное делителем R5,R9 в базе VT1. Аналогично действует схема, усиливая полезный сигнал переменного тока. Только теперь схема отрабатывает звуковой сигнал поступающий в базу VT1 через С2. Глубина действия ООС, неодинакова для постоянного и переменного тока, из-за наличия конденсатора С4. По переменному току с помощью делителя R11 R12 задается Ку всего усилителя, по постоянному току действует 100% ООС (через R11 в эмиттер VT1) что хорошо поддерживает симметрию выхода по постоянному току. Основным усилителем напряжения по амплитуде, необходимой для «раскачки» выходного каскада, является транзистор VT3. Для улучшения свойств этого каскада, нагрузкой его является цепь Положительной Обратной Связи, которая берется через R23 с выхода усилителя и образует т.н. «динамическую нагрузку». Действие этой цепи приводит к почти неизменному току через VT3, при любой амплитуде сигнала – транзистор работает в более линейном режиме и развивает максимальный Ку, что важно и с точки зрения уменьшения общего КНИ усилителя и максимальной амплитуде сигнала на выходе. Конечно, цепь ПОС, не совсем совершенна в качестве «динамической нагрузки», применена в общем, для упрощения схемы. Выходной каскад вполне обычный, его задача значительно усилить по току напряжение, поступающее с каскада на VT3 и подача в нагрузку. Составной транзистор VT6,VT9 отпирается при положительном потенциале, каскад VT5,VT10 — при отрицательном, таким образом, происходит усиление сигнала переменного тока в точке симметрии +С9. В нагрузку звуковой сигнал поступает через конденсатор С9, который не пропускает постоянное напряжение с точки симметрии усилителя. Для минимизации искажений, выходные транзисторы приоткрыты некоторым начальным током (ток покоя).

Этот ток задается падением напряжения от протекающего коллекторного тока VT3 на резисторах R17,R18, и приложен между базами предвыходных транзисторов. Цепочка R19,С6 устраняет самовозбуждение усилителя, которое может возникнуть на частотах более 50кГц. При монтаже усилителя следует обратить внимание на подключение проводов GND, сечение проводов соединения выходных транзисторов следует взять 0.75-1мм2, (кроме провода базы).

Настройка и первое включение усилителя:

Настройку следует производить, включив вместо предохранителя мощный резистор сопротивлением 15-20Ом, а вместо акустики мощные резисторы 8-15Ом. Если все транзисторы исправны и в схеме нет ошибок, в точках симметрии (+С9, +С10) должно сразу установится напряжение равное половине питания — это следует проверить первым делом. Дополнительно его корректируют подстроечником R4. Разбаланс симметрии в пределах +/-2 вольта вполне допустим. Затем контролируют начальный ток выходных транзисторов (ток покоя) измеряя его по падению напряжения на резисторах R32 и R34, оно должно быть в пределах 40-70мВ. Если в схеме есть ошибки, или неисправные элементы, тогда возможно сильно нагреется резистор, включенный вместо предохранителя, одновременно спасая транзисторы схемы (выходные и предвыходные) от пробоя – следует внимательно проверить схему и устранить ошибку или неисправный элемент. Следующий этап проверки – на отсутствие ВЧ самовозбуждения – нужно подключить на выход осциллограф. Наличие самовозбуждения устраняют корректировкой цепи R19,С6. Если все нормально, устанавливаем предохранитель на место, подключаем на вход генератор ЗЧ и проверяем усилитель испытательными сигналами. Прежде всего, нужно проверить симметрию ограничения максимальной амплитуды сигнала – ограничение должно наступать примерно при амплитуде 10В частота 1000Гц., если это не так, нужно подобрать сопротивление R23 или заменить VT3. Усилитель можно исследовать сигналами разных частот и амплитуд, форм. Подробную методику пока не будем приводить – усилитель ведь для начинающего. На частотах более 10кГц нежелательно подавать номинальный сигнал на вход – выходные транзисторы могут перегреться, на музыкальном сигнале этого не происходит по причине малой амплитуды этих сигналов. Следует так же еще раз проконтролировать ток покоя выходных транзисторов, должен быть в пределах 50-70мА, корректируется подбором сопротивления R17. Если ток больше – сопротивление уменьшить, и наоборот. Контроль тока нужно произвести еще примерно через час работы усилителя – он не должен увеличиваться.

Теперь можно подключить АС и источник сигнала – усилитель готов для эксплуатации. В качестве источника, например, выход CD плеера, с уровнем 0.775-1В.

На фото, собранный на макете усилитель для прослушивания, в корпус я его так и не оформил (это было в 2005году).

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Звучание вполне ничего, но тренированное ухо отмечает некоторую зализанность самых верхних верхов, слегка рыхловатый низ, а вот голосовой диапазон или около того, звучит довольно приятно, тепло. Во время прослушки, использовалась АС ОЯ 160 литров, с парой динамиков 4А28 и 6ГД2 в каждой. Довольно, неплохо усилитель работает и на 10МАС1М, первых выпусков, с еще «не дубевшей» резиной НЧ динамиков.

В усилитель, его базовую схему, можно внести некоторые изменения, которые позволят улучшить его ТТХ, одновременно желательно произвести отбор транзисторов. Работоспособность усилителя сохраняется до снижения напряжения питания 12-15В, можно ниже, но следует произвести подстройку симметрии и тока покоя. ТТХ усилителя при снижении питания будут, конечно же, хуже, упадет и выходная мощность. Транзисторы можно заменить на подобные серии МП, ГТ404В,Г, 402Ж,И. П214 лучше всего с буквой А, но можно и другие, возможно так же применение и П215,16,17, но звучание будет несколько хуже, особенно на ВЧ. Можно применить и транзисторы серий П213, и даже П201, 202, тогда напряжение питания следует снизить до 27-30В. Примененный транзистор МП37Б работает на пределе по Uк-э макс, но отказов или пробоя у меня не было.

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

Характеристики транзистора транзистор п215 на русском языке и др

С усилителем можно использовать и 4х Омные АС, тогда желательно увеличить площадь теплоотводов до 250-300см2, и напряжение питания уменьшить до 30В, или применить выходные транзисторы типа ГТ806. Выходная мощность возрастет до 20Вт.

Росимущество:  Передать показания Ростов-на-Дону «ТНС энерго»

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *