rosim.ru – Официальный сайт Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Многие транзисторы содержат достаточное количество драгоценных металлов в виде тонкого слоя золота или серебра, поэтому они активно перерабатываются.
В транзисторах активно использовалось золото и серебро. Золото часто наносилось на выводы и корпуса транзисторов, в том числе и внутри. Многие транзисторы содержат скрытую позолоту для ее обнаружения необходимо снять крышку кусачками, площадка под кристаллом может быть позолочена.
Список транзисторов
Раньше, когда миниатюризация ещё не была так развита, в электронных и радиотехнических устройствах и приборах, а так же в бытовой технике использовались транзисторы. Транзисторы бывают в круглых, плоских, металлических и даже в пластмассовых корпусах.
Из драгоценных металлов чаще всего транзисторы содержат золото, серебро, палладий и иногда — платину.
Транзисторы легко распознать по наличию у них трех ножек.
Наибольшее количество драгоценных металлов, содержащихся в транзисторах, можно найти в советской вычислительной технике, а так же в разработках предприятий военно-промышленного комплекса СССР.
Рекомендации по разборке
Не секрет что желтое покрытие на транзисторах и микросхемах советского производства — это позолота. В разные года толщина покрытия колебалась от одного до пяти микрон, поэтому детали выпущенные до 90 года имеют более толстый слой покрытия, чем те которые выпускались позже отсюда и разница в цене.
При разборке плат желтые транзисторы и микросхемы лучше выпаивать. Способ может быть любой: строительным феном, паяльником, на электроплитке или горелкой. Главное — сохранить в целости выводы (ножки). Чем длиннее выводы, тем выше цена за транзистор или микросхему.
Транзисторы и без выводов считаются дешевле (т.к. значимая часть золота находиться на выводах). По этой же причине новые детали с желтым покрытием всегда дороже (выводы не обрезаны). Если нет возможности выпаивать детали, наши специалисты посчитают детали на платах. Если у вас большое количество плат, радиодеталей и нет возможности привезти их к нам на приемный пункт, тогда мы можем приехать к вам и на месте оценить детали и рассчитаться.
О выезде звоните по тел.: 8-927-621-20-80.
Мы принимаем транзисторы с драгметаллами
Транзистор КТ902, 2Т903, КТ903, 2Т903Б Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Золото: 0.0004 Серебро: 0.0863 Платина: 0 МПГ: 0 По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером. 2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты. От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала Буква Г или цифра 1 — германий. Буква К или цифра 2 — кремний. Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора П — полевой транзистор Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты 1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц). 2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц). 3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. 4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц). 6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ. 7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц). 9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов: 1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц. 7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Навигация по записям
В таблице представлены точные данные по содержанию драгоценных металлов в граммах на единицу изделия транзистора КТ903А:
Сведения о содержании драгоценных металлов в элементной базе радиоэлектроники, бытовой техники, оборудования, транспорта и прочей готовой продукции взяты из открытых источников: специализированной технической документации (справочников, паспортов, формуляров, руководств по эксплуатации разработчиков и изготовителей), а так же справочников относящихся к категории руководящих нормативных документов для постановки изделий, содержащих драгоценные металлы, на учет, контроля за их движением и списанием.
Транзисторы КТ903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 24,0 г, с накидным фланцем — не более 34,0 г.