Cправочник ПАРАметров ТРАНзисторов. Аналоги транзистора 1Т313В

Юмор:CD тихо, не DVD меня до истерики и не USB мне мозги!

Доставка по России
от 400 руб

Доставка от 2 дней

Точную информацию о наличии товара просьба уточнять у

Описание товара

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 1Т3ххх являются аналогами транзисторов ГТ3ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т3ххх являются аналогами транзисторов КТ3ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора 1Т313В

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора 1Т313В . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp

Производитель: USSRСфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Росимущество: В каком округе подается заявление о включении федерального государственного бюджетного учреждения «ДОД Росимущества»

Параметры и характеристики

Масса транзистора не более 2 г.

• Uкбо max – Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси – Напряжение сток-исток
• Iси max – Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max – Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max – Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток

Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Транзисторы 1Т313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

m.rcl-radio.ru – 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В – rcl-radio.ru

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА:

Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 3В, Iэ = 15 мА:

Росимущество: Федеральный закон от 14.11.2002 г. № 161-ФЗ

Обратный ток коллектора при Uкб = 12 В не более:

Обратный ток эмиттера при Uэб = 0,4 В не более:

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В не более 2,5 пФ

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц не более:

Коэффициент шума при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА, Rг = 75 Ом, f = 60 МГц 1 Т313В не более 8 дБ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,26В, f = 10 МГц не более:

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное напряжение коллектор – база при Т≤318 К:

Постоянный ток коллектора:

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Коды символов для отображения на семисегментном индикаторе – онлайн

Термопара и Arduino

Микроконтроллеры (разное) Arduino

Высококачественный усилитель для наушников на NCP2809

Импульсный блок питания на +-12В

Импульсные источники питания

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Справка об аналогах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора 1Т313В. Коллективный разум.

Перед заменой транзистора на аналогичный, сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Разделы справочника

Добавьте эту страницу в закладки:

Условия поставки

Минимальная сумма для заказа – от 2000 рублей. Если же у Вас заказ состоит из нескольких позиций,то минимальная сумма каждой позиции должна быть не меньше 500 рублей. Выдача заказов в Москве происходит каждую субботу на Митинском радиорынке. В другие дни выдача заказов со склада в г.Сарапул или же отгрузка ТК Деловые Лини или СДЭК или др. транспортной компанией из г.Ижевск.

Добавить аналог транзистора 1Т313В.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 1Т313В? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Росимущество: Как называется ликвидная древесина и 2. Основные термины, используемые в настоящих Рекомендациях

* Имя (маркировка) аналога или комплементарной пары транзистора 1Т313В:
* Тип совместимости:Полный аналог – совпадение выводов и корпуса, электрических и функциональных характеристик транзистора. Замена производится без внесения изменений в существующую электрическую схему.Ближайший аналог – выводы на корпусе совпадают, но в параметрах транзисторов есть некоторые различия, например – разная граничная частота.Функциональный аналог – транзисторы входят в одну функциональную группу, со схожими характеристиками. Замена возможна с изменением схемы печатной платы.Аналог, возможный аналог – данная информация предоставляется в ознакомительных целях. Перед заменой обязательно читать документацию на эти транзисторы.Комплементарная пара – транзисторы с точным соответствием параметров но различным типом проводимости (например, PNP к NPN).

Ссылка на страницу с данными об аналоге:
(Укажите интернет адрес страницы, показывающую характеристики загружаемого аналога, с http или https. Например: https://www.paratran.com/2paratranKR.php?tr=1842)

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 1Т313В.

Вы знаете больше о транзисторе 1Т313В, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 1Т313В.
Добавить рисунок транзистора 1Т313В.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 1Т313В.

Схемы транзистора 1Т313В

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Дата создания страницы: 2021-07-14 13:54:41.

Аналоги транзистора 1Т313В