rosim.ru – Официальный сайт Справочная информация по количеству содержащихся драгметаллов в изделии:
Масса содержания драгоценных металлов: золота, серебра, платины, палладия, тантала и (МПГ) на единицу изделия в граммах представлена справочная (поэтому реальное содержание может быть на 8-15% меньше).
Справочник сформирован по данным из открытых источников: формуляров, технической литературы, паспортов изделий, нормативной документации, других открытых источников.
Примечание : По данным НПО Импульс
Подставив курс Центрального Банка на драгоценные металлы, получим ориентировочную цену 1НТ251.
Примерная цена = 0,025 г. * 6107.86 руб./г. + 0 г. * 77.86 руб./г. + 0 г. * 3140.18 руб./г. = 152.6965 руб.
Получаем, что примерная цена диода 1НТ251 на вторичном рынке 152.6965 руб.
Диод 1НТ251 – это элемент, проводящий ток в одном направлении и блокирующий его в другом.
Используется в выпрямительных цепях, преобразуя переменный ток в постоянный. Наиболее распространёнными являются полупроводниковые диоды: стабилитроны, диоды Шоттки и варикапы. Применяются в различных устройствах нелинейной обработки аналоговых сигналов. Содержание драгметаллов смотрите ниже.
ЦБ РФ – Курсы драгметаллов (Средний курс на март 2022 г.)
В таблице указано точное количество драгоценных металлов в граммах на 1 единицу изделия:
1НТ251 содержит в себе
0,0201 г. Золота , 0,0012 г. Серебра .
Учитывая Курс драгоценных металлов рассчитаем примерную стоимость. Умножаем количество содержания ценных металлов на актуальный курс валют.
Ориентировачная стоимость=
0,0201г*4861.51руб. + 0,0012г*56.28руб. =
97.78 руб.
Если вы собираетесь сдать радиодеталь содержащую драгоценные металлы, учитывайте, что скупщики приобретут у Вас деталь не по цене биржи, а с учетом всех расходов на утилизацию и транспортировку деталей.
А это примерно 20%-30% от стоимости детали. Т.е. фактически Транзистор 1НТ251 у Вас выкупят за 19.56 руб.
Также в зависимости от региона цены будут отличаться. Детали которые вы сдадите приемщикам радиодеталей, отправляются на заводы по переработке. Так как заводы есть не в каждом регионе, скупщику необходимо учесть расходы на логистику.
Транзистор 1НТ251 ориентировачно стоит на вторичном рынке радиодеталей 97.78 руб. (прямой расчет по бирже ценных металлов).
Скупщики выкупят у Вас Транзистор 1НТ251 примерно за 19.56 – 29.34 руб. (примерная стоимость скупки).
Курсы драгоценных металлов по ЦБ РФ на 25. 2023, в руб.
Вот такими не хитрыми способами мы с Вами вычислили сколько стоит 1НТ251 в пересчете на драгоценные металлы.
Кто знает, может именно в вашем гараже или подвале запылился какой-нибудь денежный хлам 🙂
Поделиться ссылкой в соц. сетях:
Самые просматриваемые
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Золото: 0.014 Серебро: 0.013 Платина: 0 МПГ: 0 По данным: перечня Роскосмоса
Какие драгоценные металлы содержатся в микросхемах
Микросхемы могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Структура обозначения советских микросхем.
Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие — ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов: Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 — обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 — обозначают гибридные ИМС 7 — обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 — прочие ИМС
Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.
Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).
Четвёртый элемент — порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.
Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква «К». При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы «К» добавляется буква:2 Р — для пластмассовых корпусов типа «2»; М — для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа «2»; Е — для металло-полимерного корпуса типа «2»; А — для пластмассового корпуса типа «4»; И — для керамико-стеклянного корпуса типа «4»; Э — экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н — кристаллоноситель.
Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.
Навигация по записям
Золото: 0.0248573 Серебро: 0.0011016 Платина: 0 МПГ: 0 По данным: перечня Роскосмоса
Транзистор 1НТ251 Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Золото: 0.0281 Серебро: 0.0012 Платина: 0 МПГ: 0 По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером. 2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты. От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала Буква Г или цифра 1 — германий. Буква К или цифра 2 — кремний. Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора П — полевой транзистор Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты 1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц). 2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц). 3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. 4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц). 6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ. 7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц). 9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов: 1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц. 7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.